transistor de canal N IRFPS37N50APBF, 17.4k Ohms, 500V

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Cantidad
Precio unitario
1-24
17.86€
25+
12.90€
Cantidad en inventario: 10

Transistor de canal N IRFPS37N50APBF, 17.4k Ohms, 500V. Vivienda: 17.4k Ohms. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5580pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 446W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 22A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 36A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRFPS37N50APBF. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 52 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 23 ns. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:06

Documentación técnica (PDF)
IRFPS37N50APBF
16 parámetros
Vivienda
17.4k Ohms
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
500V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
5580pF
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Disipación máxima Ptot [W]
446W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.13 Ohms @ 22A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
36A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
IRFPS37N50APBF
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
52 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
4 v
Tiempo de encendido ton [nseg.]
23 ns
Producto original del fabricante
Vishay (ir)