Transistor de canal N IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 180pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 80pF. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 17A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 6.9ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45