transistor de canal N IRFR1205, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

transistor de canal N IRFR1205, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.04€
5-24
0.86€
25-49
0.73€
50+
0.65€
Cantidad en inventario: 102

Transistor de canal N IRFR1205, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 31A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.027 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1300pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 410pF. Diodo Trr (Mín.): 65 ns. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 160A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 107W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 47 ns. Td(encendido): 7.3 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+155°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45

Documentación técnica (PDF)
IRFR1205
29 parámetros
DI (T=100°C)
31A
DI (T=25°C)
44A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.027 Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaje Vds(máx.)
55V
C(pulg)
1300pF
Cantidad por caja
1
Costo)
410pF
Diodo Trr (Mín.)
65 ns
Función
Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
160A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
107W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Td(apagado)
47 ns
Td(encendido)
7.3 ns
Tecnología
HEXFET® Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+155°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
International Rectifier