transistor de canal N IRFR120NPBF, D-PAK, TO-252, 100V

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Transistor de canal N IRFR120NPBF, D-PAK, TO-252, 100V. Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 330pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 6.6A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: FR1205N. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 32 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 4.5 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:06

Documentación técnica (PDF)
IRFR120NPBF
17 parámetros
Vivienda
D-PAK
Vivienda (norma JEDEC)
TO-252
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
100V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
330pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
48W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.21 Ohms @ 5.6A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
6.6A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
FR1205N
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
32 ns
RoHS
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
4 v
Tiempo de encendido ton [nseg.]
4.5 ns
Producto original del fabricante
International Rectifier