Transistor de canal N IRFR220, TO252AA, DPAK. Vivienda: TO252AA, DPAK. Cargar: 15nC. Corriente de drenaje: 5A. Montaje/instalación: SMD. Polaridad: unipolares. Potencia: 43W. Resistencia térmica de alojamiento: 3.5K/W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Voltaje de fuente de drenaje: 200V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 04:39