transistor de canal N IRFR220NTRLPBF, D-PAK, TO-252, 200V

transistor de canal N IRFR220NTRLPBF, D-PAK, TO-252, 200V

Cantidad
Precio unitario
1-9
1.97€
10+
1.61€
Cantidad en inventario: 118

Transistor de canal N IRFR220NTRLPBF, D-PAK, TO-252, 200V. Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 300pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 43W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 5A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: FR220N. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 20 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6.4 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:24

Documentación técnica (PDF)
IRFR220NTRLPBF
17 parámetros
Vivienda
D-PAK
Vivienda (norma JEDEC)
TO-252
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
200V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
300pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
43W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.6 Ohms @ 5A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
5A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
FR220N
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
20 ns
RoHS
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
4 v
Tiempo de encendido ton [nseg.]
6.4 ns
Producto original del fabricante
International Rectifier