Transistor de canal N IRFR320, 2A, 3.1A, 3.1A, 1.8 Ohms, D-PAK TO-252AA, 400V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3.1A. Idss (máx.): 3.1A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.8 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 400V. Cantidad por caja: 1. Función: transistor MOSFET. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Tecnología: HEXFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45