transistor de canal N IRFR3505, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

transistor de canal N IRFR3505, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.51€
5-24
1.30€
25-49
1.15€
50-99
1.04€
100+
0.89€
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Transistor de canal N IRFR3505, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 49A. DI (T=25°C): 71A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2030pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 470pF. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 280A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45

IRFR3505
31 parámetros
DI (T=100°C)
49A
DI (T=25°C)
71A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.011 Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaje Vds(máx.)
55V
C(pulg)
2030pF
Cantidad por caja
1
Costo)
470pF
Diodo Trr (Mín.)
70 ns
Función
Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida
IDss (mín.)
20uA
Identificación (diablillo)
280A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
140W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Spec info
AUTOMOTIVE MOSFET
Td(apagado)
43 ns
Td(encendido)
13 ns
Tecnología
HEXFET® Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
International Rectifier