Transistor de canal N IRFR3709Z, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 61A. DI (T=25°C): 86A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5.2m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2330pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 460pF. Diodo Trr (Mín.): 29 ns. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, impedancia de compuerta ultrabaja. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 340A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 79W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45