Transistor de canal N IRFR4105, 19A, 27A, 0.025mA, 27A, 0.045 Ohms, D-PAK TO-252AA, 55V. DI (T=100°C): 19A. DI (T=25°C): 27A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 27A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.045 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 55V. Cantidad por caja: 1. Función: td(on) 7ns. Identificación (diablillo): 100A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45