transistor de canal N IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

transistor de canal N IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.11€
5-29
0.94€
30-74
0.82€
75-149
0.74€
150+
0.59€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 54

Transistor de canal N IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.4A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 500V. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 8A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45

Documentación técnica (PDF)
IRFR420
24 parámetros
DI (T=100°C)
1.5A
DI (T=25°C)
2.4A
Idss
0.025mA
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
3 Ohms
Vivienda (según ficha técnica)
D-PAK TO-252AA
Voltaje Vds(máx.)
500V
Cantidad por caja
1
Función
Conmutación de alta velocidad
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
8A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Pd (disipación de potencia, máx.)
42W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
International Rectifier

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