transistor de canal N IRFRC20PBF, D-PAK, TO-252, 600V

transistor de canal N IRFRC20PBF, D-PAK, TO-252, 600V

Cantidad
Precio unitario
1-24
1.34€
25-74
1.12€
75-299
0.99€
300+
0.94€
Cantidad en inventario: 200

Transistor de canal N IRFRC20PBF, D-PAK, TO-252, 600V. Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 350pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 42W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 2A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRFRC20PBF. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:27

Documentación técnica (PDF)
IRFRC20PBF
17 parámetros
Vivienda
D-PAK
Vivienda (norma JEDEC)
TO-252
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
600V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
350pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
42W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
4.4 Ohms @ 1.2A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
2A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
IRFRC20PBF
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
30 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
4 v
Tiempo de encendido ton [nseg.]
10 ns
Producto original del fabricante
Vishay (ir)