Transistor de canal N IRFS634A, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. DI (T=100°C): 3.7A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 5.8A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.45 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 250V. Cantidad por caja: 1. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Tecnología: Advanced Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Samsung. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11