Transistor de canal N IRFS740, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 1000uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.55 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 1500pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 178pF. Diodo Trr (Mín.): 370 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 250uA. Identificación (diablillo): 40A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Samsung. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11