Transistor de canal N IRFU024N, TO-251 ( I-Pak ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251AA ( I-PAK ), 55V. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.075 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 370pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 13.3nC. Corriente de drenaje: 16A. Costo): 140pF. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 68A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Polaridad: unipolares. Potencia: 38W. Resistencia térmica de alojamiento: 3.3K/W. RoHS: sí. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 4.7 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11