Transistor de canal N IRFU024NPBF, I-PAK, 60V. Vivienda: I-PAK. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 370pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 8.4A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 14A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRFU024NPBF. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 19 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 4.9 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:22