Transistor de canal N IRFU120N, TO251AA, IPAK. Vivienda: TO251AA, IPAK. Cargar: 16.7nC. Corriente de drenaje: 9.1A. Montaje/instalación: THT. Polaridad: unipolares. Potencia: 39W. Resistencia térmica de alojamiento: 3.2K/W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Voltaje de fuente de drenaje: 100V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 04:39