Transistor de canal N IRFU420PBF, TO-251AA, 500V. Vivienda: TO-251AA. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 360pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 42W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 2.4A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRFU420PBF. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 33 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Producto original del fabricante: Vishay (siliconix). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:38