Transistor de canal N IRFZ24NPBF, TO220AB, 55V, 60V. Vivienda: TO220AB. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 55V. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 640pF. Características: -. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 17A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 17A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: IRFZ24NPBF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Polaridad: MOSFET N. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25 ns. RoHS: sí. Serie: HEXFET. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Tipo de montaje: THT. Voltaje de accionamiento: 10V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:06