Transistor de canal N IRFZ44N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 49A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0175 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1470pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 360pF. Diodo Trr (Mín.): 63us. Función: Ultra Low On-Resistance. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 160A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 94W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11