Transistor de canal N IRFZ44NPBF, TO-220AB, 55V, 60V. Vivienda: TO-220AB. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 55V. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Acondicionamiento: tubus. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1470pF. Características: -. Cargar: 63nC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de drenaje: 49A. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 50A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 49A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: IRFZ44NPBF. Montaje/instalación: THT. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 94W. Polaridad: unipolares. Potencia: 94W. Rds on (max) @ id, VGS: 17.5m Ohms / 25A / 10V. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 44 ns. RoHS: sí. Serie: HEXFET. Tecnología: HEXFET®. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Voltaje de accionamiento: 10V. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:06