Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.

Transistor de canal N, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRFZ44NS

Transistor de canal N, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRFZ44NS
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 1.72€ 2.08€
5 - 9 1.63€ 1.97€
10 - 24 1.54€ 1.86€
Cantidad U.P
1 - 4 1.72€ 2.08€
5 - 9 1.63€ 1.97€
10 - 24 1.54€ 1.86€
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Cantidad en inventario : 24
Conjunto de 1

Transistor de canal N, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRFZ44NS. Transistor de canal N, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 49A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 17.5m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1470pF. Costo): 360pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 63 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 160A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 94W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 16:25.

Información y ayuda técnica.

Por telefono :

Pago y entrega

¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!

Suscríbete al boletín

Acepto recibir correos electrónicos y entiendo que puedo cancelar mi suscripción en cualquier momento después de suscribirme..

Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.