transistor de canal N IRFZ44NS, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V

transistor de canal N IRFZ44NS, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.72€
5-24
1.48€
25-49
1.33€
50-99
1.23€
100+
1.10€
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Cantidad en inventario: 12

Transistor de canal N IRFZ44NS, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 49A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 17.5m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1470pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 360pF. Diodo Trr (Mín.): 63 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 160A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 94W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:13

Documentación técnica (PDF)
IRFZ44NS
31 parámetros
DI (T=100°C)
35A
DI (T=25°C)
49A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
17.5m Ohms
Vivienda
D2PAK ( TO-263 )
Vivienda (según ficha técnica)
D2PAK ( TO-263 )
Voltaje Vds(máx.)
55V
C(pulg)
1470pF
Cantidad por caja
1
Costo)
360pF
Diodo Trr (Mín.)
63 ns
Función
Conmutación de alta velocidad
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
160A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
94W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Spec info
Ultra Low On-Resistance
Td(apagado)
44 ns
Td(encendido)
12 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
International Rectifier