transistor de canal N IRG4PH50K, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V

transistor de canal N IRG4PH50K, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
8.87€
5-9
8.01€
10-24
7.34€
25-49
6.83€
50+
6.03€
Cantidad en inventario: 32

Transistor de canal N IRG4PH50K, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 2800pF. Corriente del colector: 45A. Costo): 140pF. Diodo CE: no. Diodo de germanio: no. Función: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Ic (pulso): 90A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 36ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.77V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:35

Documentación técnica (PDF)
IRG4PH50K
25 parámetros
Ic(T=100°C)
24A
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT
Tensión colector/emisor Vceo
1200V
C(pulg)
2800pF
Corriente del colector
45A
Costo)
140pF
Diodo CE
no
Diodo de germanio
no
Función
Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed)
Ic (pulso)
90A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
200W
RoHS
Spec info
td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C
Td(apagado)
200 ns
Td(encendido)
36ns
Temperatura de funcionamiento
-40...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
2.77V
Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.
3V
Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.
6V
Tensión puerta/emisor VGE
20V
Tipo de canal
N
Producto original del fabricante
International Rectifier