transistor de canal N IRL1404ZS, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V

transistor de canal N IRL1404ZS, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.28€
5-24
2.95€
25-49
2.66€
50-99
2.43€
100+
2.12€
Cantidad en inventario: 69

Transistor de canal N IRL1404ZS, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (máx.): 200A. Resistencia en encendido Rds activado: 2.5m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 5080pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 970pF. Diodo Trr (Mín.): 26 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 790A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:13

Documentación técnica (PDF)
IRL1404ZS
24 parámetros
DI (T=100°C)
140A
DI (T=25°C)
200A
Idss
20uA
Idss (máx.)
200A
Resistencia en encendido Rds activado
2.5m Ohms
Vivienda
D2PAK ( TO-263 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-263 ( D2PAK )
Voltaje Vds(máx.)
40V
C(pulg)
5080pF
Cantidad por caja
1
Costo)
970pF
Diodo Trr (Mín.)
26 ns
Función
Conmutación de alta velocidad
Identificación (diablillo)
790A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Pd (disipación de potencia, máx.)
230W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
Td(apagado)
30 ns
Td(encendido)
19 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Producto original del fabricante
International Rectifier