Transistor de canal N IRL2203N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 116A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 3290pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1270pF. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Función: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 400A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:13