transistor de canal N IRL2203NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v

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Transistor de canal N IRL2203NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 180W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 75A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: L2203NS. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:24

Documentación técnica (PDF)
IRL2203NSTRLPBF
17 parámetros
Vivienda
D²-PAK
Vivienda (norma JEDEC)
TO-263
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
30 v
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
3290pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
180W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.007 Ohms @ 60A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
75A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
L2203NS
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
23 ns
RoHS
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
3V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
11 ns
Producto original del fabricante
Infineon