transistor de canal N IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

transistor de canal N IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.08€
5-24
2.70€
25-49
2.40€
50-99
2.17€
100+
1.85€
Cantidad en inventario: 9

Transistor de canal N IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.026 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 3700pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 630pF. Función: Nivel lógico. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 190A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Td(apagado): 49 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:13

Documentación técnica (PDF)
IRL2910
25 parámetros
DI (T=100°C)
39A
DI (T=25°C)
55A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.026 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Voltaje Vds(máx.)
100V
C(pulg)
3700pF
Cantidad por caja
1
Costo)
630pF
Función
Nivel lógico
IDss (mín.)
10uA
Identificación (diablillo)
190A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
200W
Td(apagado)
49 ns
Td(encendido)
11 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
International Rectifier