transistor de canal N IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V
| +10 piezas adicionales disponibles en stock remoto (suministro en 4 horas). ¡Contáctanos para consultar precios y disponibilidad! | |
| Producto obsoleto, próximamente será eliminado del catálogo.. Últimos artículos disponibles | |
| Cantidad en inventario: 8 |
Transistor de canal N IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 63A. DI (T=25°C): 89A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.01 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 3600pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 65.3nC. Corriente de drenaje: 89A. Costo): 870pF. Diodo Trr (Mín.): 94us. Función: Unidad de puerta de nivel lógico, conmutación rápida. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 310A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. Polaridad: unipolares. Potencia: 130W. Propiedades del semiconductor: Nivel lógico. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en el estado: 10M Ohms. Resistencia térmica de alojamiento: 1.2K/W. RoHS: sí. Td(apagado): 37 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 2V. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) mín.: 1V. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: 16V, ±16V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:13