transistor de canal N IRL3803S, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

transistor de canal N IRL3803S, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.95€
5-24
2.57€
25-49
2.29€
50+
2.02€
Cantidad en inventario: 31

Transistor de canal N IRL3803S, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 83A. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.006 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 5000pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1800pF. Diodo Trr (Mín.): 120ns. Función: control de puerta por nivel lógico. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 470A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 29 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38

Documentación técnica (PDF)
IRL3803S
30 parámetros
DI (T=100°C)
83A
DI (T=25°C)
60.4k Ohms
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.006 Ohms
Vivienda
D2PAK ( TO-263 )
Vivienda (según ficha técnica)
D2PAK ( TO-263 )
Voltaje Vds(máx.)
30 v
C(pulg)
5000pF
Cantidad por caja
1
Costo)
1800pF
Diodo Trr (Mín.)
120ns
Función
control de puerta por nivel lógico
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
470A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
150W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Td(apagado)
29 ns
Td(encendido)
14 ns
Tecnología
HEXFET® Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
1V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
International Rectifier