transistor de canal N IRL520NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V

transistor de canal N IRL520NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V

Cantidad
Precio unitario
1-49
2.38€
50+
1.98€
Cantidad en inventario: 151

Transistor de canal N IRL520NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 440pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 10A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: L520N. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 4 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:06

Documentación técnica (PDF)
IRL520NSPBF
17 parámetros
Vivienda
D²-PAK
Vivienda (norma JEDEC)
TO-263
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
100V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
440pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
48W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.18 Ohms @ 6A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
10A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
L520N
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
23 ns
RoHS
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
2V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
4 ns
Producto original del fabricante
International Rectifier