transistor de canal N IRL540N, 21A, 30A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

transistor de canal N IRL540N, 21A, 30A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.60€
5-24
1.41€
25-49
1.27€
50-99
1.17€
100+
1.04€
Cantidad en inventario: 170

Transistor de canal N IRL540N, 21A, 30A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.044 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 1800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 350pF. Diodo Trr (Mín.): 190 ns. Función: control de puerta por nivel lógico. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 94W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38

Documentación técnica (PDF)
IRL540N
32 parámetros
DI (T=100°C)
21A
DI (T=25°C)
30A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.044 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Voltaje Vds(máx.)
100V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
1800pF
Cantidad por caja
1
Costo)
350pF
Diodo Trr (Mín.)
190 ns
Función
control de puerta por nivel lógico
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
60.4k Ohms
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
94W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
39 ns
Td(encendido)
11 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
50
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
International Rectifier