Transistor de canal N IRL540NPBF, TO220AB, 100V, 100V, 0.044 Ohms, 100V. Vivienda: TO220AB. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 100V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 100V. Vivienda (norma JEDEC): -. Resistencia en encendido Rds activado: 0.044 Ohms. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Acondicionamiento: tubus. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1800pF. Características: -. Cargar: 49.3nC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Control: Nivel lógico. Corriente de drenaje: 36A. Corriente máxima de drenaje: 36A. Disipación máxima Ptot [W]: 140W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 36A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 36A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: IRL540N. Montaje/instalación: THT. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. Polaridad: unipolares. Potencia: 140W. Propiedades del semiconductor: Nivel lógico. Resistencia térmica de alojamiento: 1.1K/W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. RoHS: sí. Serie: HEXFET. Tecnología: HEXFET®. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -16V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Tipo de canal: N. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Voltaje de fuente de drenaje: 100V. Voltaje de fuente de puerta: 16V, ±16V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:42