Transistor de canal N IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=100°C): 26A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.044 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 350pF. Función: control de puerta por nivel lógico. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38