transistor de canal N IRL540NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 100V

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Cantidad
Precio unitario
1-49
3.28€
50-99
2.63€
100-799
2.36€
800+
1.94€
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Transistor de canal N IRL540NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1800pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 140W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 36A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: L540NS. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 14:50

Documentación técnica (PDF)
IRL540NSTRLPBF
17 parámetros
Vivienda
D²-PAK
Vivienda (norma JEDEC)
TO-263
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
100V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
1800pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
140W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.044 Ohms @ 18A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
36A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
L540NS
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
39 ns
RoHS
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
2V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
11 ns
Producto original del fabricante
Infineon