Transistor de canal N IRLB1304PTPBF, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 185A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.004 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 7660pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 2150pF. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Función: control de puerta por nivel lógico. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 740A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 21 ns. Tecnología: Transistor MOSFET de potencia HEXFET, nivel lógico controlado. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38