transistor de canal N IRLB3034PBF, 243A, 343A, 250uA, 1.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

transistor de canal N IRLB3034PBF, 243A, 343A, 250uA, 1.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

Cantidad
Precio unitario
1-4
4.45€
5-24
4.00€
25-49
3.71€
50-99
3.47€
100+
3.09€
Cantidad en inventario: 23

Transistor de canal N IRLB3034PBF, 243A, 343A, 250uA, 1.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 243A. DI (T=25°C): 343A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.4M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 10315pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1980pF. Diodo Trr (Mín.): 39 ns. Función: Accionamiento por motor de CC, conmutación de potencia de alta velocidad. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 1372A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 375W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: control de nivel lógico. Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 65 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38

Documentación técnica (PDF)
IRLB3034PBF
31 parámetros
DI (T=100°C)
243A
DI (T=25°C)
343A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
1.4M Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Voltaje Vds(máx.)
40V
C(pulg)
10315pF
Cantidad por caja
1
Costo)
1980pF
Diodo Trr (Mín.)
39 ns
Función
Accionamiento por motor de CC, conmutación de potencia de alta velocidad
IDss (mín.)
20uA
Identificación (diablillo)
1372A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
375W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Spec info
control de nivel lógico
Td(apagado)
97 ns
Td(encendido)
65 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.5V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
International Rectifier