transistor de canal N IRLB8721, 45A, 64A, 150uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

transistor de canal N IRLB8721, 45A, 64A, 150uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.14€
5-24
0.96€
25-49
0.83€
50-99
0.75€
100+
0.64€
Cantidad en inventario: 3

Transistor de canal N IRLB8721, 45A, 64A, 150uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0065 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1077pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 360pF. Diodo Trr (Mín.): 16 ns. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 250A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 9 ns. Td(encendido): 9.1ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38

IRLB8721
30 parámetros
DI (T=100°C)
45A
DI (T=25°C)
64A
Idss (máx.)
150uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.0065 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Voltaje Vds(máx.)
30 v
C(pulg)
1077pF
Cantidad por caja
1
Costo)
360pF
Diodo Trr (Mín.)
16 ns
Función
Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
250A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
65W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
9 ns
Td(encendido)
9.1ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.35V
Vgs(th) mín.
1.35V
Producto original del fabricante
Infineon Technologies