Transistor de canal N IRLD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 1.7A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. Cantidad por caja: 1. Función: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Identificación (diablillo): 14A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: FET. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38