Transistor de canal N IRLD024, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. DI (T=100°C): 1.8A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 870pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 360pF. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Función: Conmutación rápida, unidad de puerta de nivel lógico. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 20A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 10V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Varios: Dynamic dv/dt Rating. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38