transistor de canal N IRLL014NTRPBF, SOT-223, 55V

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Transistor de canal N IRLL014NTRPBF, SOT-223, 55V. Vivienda: SOT-223. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 230pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 2.1W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 2A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: LL014N. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 14 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 5.1 ns. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:24

Documentación técnica (PDF)
IRLL014NTRPBF
16 parámetros
Vivienda
SOT-223
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
55V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
230pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
2.1W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.2 Ohms @ 1.2A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
2A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
LL014N
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
14 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
2V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
5.1 ns
Producto original del fabricante
Infineon