transistor de canal N IRLL110TRPBF, SOT-223, 100V

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Transistor de canal N IRLL110TRPBF, SOT-223, 100V. Vivienda: SOT-223. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 250pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 3.1W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 1.5A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: -. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 16 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 9.3 ns. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:24

Documentación técnica (PDF)

IRLL110TRPBF

15 parámetros

Vivienda

SOT-223

Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]

100V

Capacitancia de puerta Ciss [pF]

250pF

Configuración

componente montado en superficie (SMD)

Disipación máxima Ptot [W]

3.1W

Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]

0.54 Ohms @ 0.9A

Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C

1.5A

Familia de componentes

MOSFET, N-MOS

Número de terminales

Retardo de desconexión tf[nseg.]

16 ns

RoHS

sí

Temperatura máxima

+150°C.

Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]

Tiempo de encendido ton [nseg.]

9.3 ns

Producto original del fabricante

Vishay (ir)