Transistor de canal N IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). DI (T=100°C): 3.4A. DI (T=25°C): 4.2A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.035 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaje Vds(máx.): 20V. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 740pF. Cantidad por caja: 1. Corriente de drenaje: 4.2A. Costo): 90pF. Diodo Trr (Mín.): 16 ns. Función: Ultra Low On-Resistance. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 33A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. Polaridad: unipolares. Potencia: 1.25W. Propiedades del semiconductor: Nivel lógico. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 7.5 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 3000. Vgs(th) mín.: 0.6V. Voltaje de fuente de drenaje: 20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38