transistor de canal N IRLML2502TRPBF, SOT-23, 20V

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Transistor de canal N IRLML2502TRPBF, SOT-23, 20V. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 20V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 740pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 0.8W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 3.4A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: 1g. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 54 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.5 ns. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:24

Documentación técnica (PDF)
IRLML2502TRPBF
16 parámetros
Vivienda
SOT-23
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
20V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
740pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
0.8W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.045 Ohms @ 4.2A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
3.4A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
1g
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
54 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
1.2V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
7.5 ns
Producto original del fabricante
Infineon