transistor de canal N IRLML2803, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v

transistor de canal N IRLML2803, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.34€
5-49
0.24€
50-99
0.22€
100+
0.19€
Cantidad en inventario: 43

Transistor de canal N IRLML2803, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. DI (T=100°C): 0.93A. DI (T=25°C): 1.2A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.025 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 85pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 34pF. Diodo Trr (Mín.): 26 ns. Función: Ultra Low On-Resistance. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 7.3A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 540mW. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 9 ns. Td(encendido): 3.9 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38

Documentación técnica (PDF)
IRLML2803
29 parámetros
DI (T=100°C)
0.93A
DI (T=25°C)
1.2A
Idss (máx.)
25uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.025 Ohms
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 )
Voltaje Vds(máx.)
30 v
C(pulg)
85pF
Cantidad por caja
1
Costo)
34pF
Diodo Trr (Mín.)
26 ns
Función
Ultra Low On-Resistance
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
7.3A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
540mW
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Td(apagado)
9 ns
Td(encendido)
3.9 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
International Rectifier