transistor de canal N IRLR024N, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V

transistor de canal N IRLR024N, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.75€
5-24
0.64€
25-49
0.55€
50-99
0.50€
100+
0.42€
Cantidad en inventario: 168

Transistor de canal N IRLR024N, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.065 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 5V. C(pulg): 480pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 130pF. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Equivalentes: IRLR024NPBF. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 72A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: control de puerta por nivel lógico. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 7.1 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38

Documentación técnica (PDF)
IRLR024N
32 parámetros
DI (T=100°C)
12A
DI (T=25°C)
17A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.065 Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaje Vds(máx.)
5V
C(pulg)
480pF
Cantidad por caja
1
Costo)
130pF
Diodo Trr (Mín.)
60 ns
Equivalentes
IRLR024NPBF
Función
Conmutación de alta velocidad
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
72A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
45W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Spec info
control de puerta por nivel lógico
Td(apagado)
20 ns
Td(encendido)
7.1 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
International Rectifier