transistor de canal N IRLR024NTRPBF, TO252AA, DPAK
Cantidad
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5-9
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Transistor de canal N IRLR024NTRPBF, TO252AA, DPAK. Vivienda: TO252AA, DPAK. Cargar: 10nC. Corriente de drenaje: 17A. Montaje/instalación: SMD. Polaridad: unipolares. Potencia: 38W. Propiedades del semiconductor: Nivel lógico. Resistencia térmica de alojamiento: 3.3K/W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: 16V, ±16V. Producto original del fabricante: Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 22:18
IRLR024NTRPBF
14 parámetros
Vivienda
TO252AA, DPAK
Cargar
10nC
Corriente de drenaje
17A
Montaje/instalación
SMD
Polaridad
unipolares
Potencia
38W
Propiedades del semiconductor
Nivel lógico
Resistencia térmica de alojamiento
3.3K/W
RoHS
sí
Tecnología
HEXFET®
Tipo de transistor
N-MOSFET, HEXFET, logic level
Voltaje de fuente de drenaje
55V
Voltaje de fuente de puerta
16V, ±16V
Producto original del fabricante
Infineon (irf)