Transistor de canal N IRLR024NTRPBF, TO252AA, DPAK. Vivienda: TO252AA, DPAK. Cargar: 10nC. Corriente de drenaje: 17A. Montaje/instalación: SMD. Polaridad: unipolares. Potencia: 38W. Propiedades del semiconductor: Nivel lógico. Resistencia térmica de alojamiento: 3.3K/W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: 16V, ±16V. Producto original del fabricante: Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 01/01/2026, 21:08