transistor de canal N IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

transistor de canal N IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.01€
5-24
0.83€
25-49
0.72€
50-99
0.65€
100+
0.55€
Cantidad en inventario: 15

Transistor de canal N IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.04 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 880pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 220pF. Diodo Trr (Mín.): 76 ns. Función: Unidad de puerta de nivel lógico, conmutación rápida. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 110A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Spec info: baja resistencia R-on 0,040 ohmios. Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 8.9 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 75. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38

Documentación técnica (PDF)
IRLR2705
33 parámetros
DI (T=100°C)
20A
DI (T=25°C)
28A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.04 Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaje Vds(máx.)
55V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
880pF
Cantidad por caja
1
Costo)
220pF
Diodo Trr (Mín.)
76 ns
Función
Unidad de puerta de nivel lógico, conmutación rápida
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
110A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
68W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Spec info
baja resistencia R-on 0,040 ohmios
Td(apagado)
21 ns
Td(encendido)
8.9 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
75
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
International Rectifier