Transistor de canal N IRLR2705PBF, TO252AA, DPAK. Vivienda: TO252AA, DPAK. Cargar: 16.7nC. Corriente de drenaje: 28A. Montaje/instalación: SMD. Polaridad: unipolares. Potencia: 68W. Propiedades del semiconductor: Nivel lógico. Resistencia térmica de alojamiento: 2.7K/W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: 16V, ±16V. Producto original del fabricante: Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 03:09