Transistor de canal N IRLR2905, D-PAK ( TO-252 ), 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.027 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 1700pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 32nC. Corriente de drenaje: 42A. Costo): 400pF. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 160A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. Polaridad: unipolares. Potencia: 110W. Propiedades del semiconductor: Nivel lógico. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia térmica de alojamiento: 1.8K/W. RoHS: sí. Spec info: control de puerta por nivel lógico. Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 2000. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: 16V, ±16V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38